全新的 LMG3525R030-Q1 是业界首款具有集成驱动器、保护和主动电源管理功能的先进汽车 GaN FET。在高电压、高密度应用中，更大限度地减小布板空间是一个重要的设计考量因素。随着电子系统越来越小，其中的各种元件也必须缩减尺寸和间距。
TI 的新型 GaN FET 集成了快速开关驱动器以及内部保护和温度感应功能，使工程师能够在实现高性能的同时减小电源管理设计的布板空间。
这种集成加上 TI GaN 技术的高功率密度，使工程师不再需要分立式解决方案中通常所需的 10 多个元件。此外，当应用于半桥配置时，每个全新的 30mΩ FET 都可以支持高达 4kW 的功率转换。
新型 GaN FET 采用 TI 的理想二极管模式来降低功耗。例如，在功率因数校正（PFC）中，与分立式 GaN 和 SiC 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，理想二极管模式可将第三象限损耗降低多达 66%。
理想二极管模式还消除了对自适应死区时间控制的需要，从而降低了固件复杂性和开发时间。TI GaN FET 封装的热阻抗比同类封装产品低 23%，因此，工程师能够使用更小的散热器，同时简化热设计。
