总体思路
1.NAND Flash的用途。
2.NAND Flash规则介绍。
3.SSD固件(Firmware，FW)包括：映射表(Mapping Table)、垃圾回收(Garbage Collection)、磨损平衡(Wear Leveling，WL)等。
4.补充概念：写入放大(Write Application)、预留空间(Over Provisioning)、Flash寿命(Program/Erase Count，P/E)等。
5.断电保护机制。
6.对SSD的评价标准：稳定性、性能、寿命。
1、NAND Flash的用途
HDD是指机械硬盘，是传统普通的硬盘，包括：盘片、磁头、磁盘旋转轴及控制电机、磁头控制器、数据转接器、接口、缓存。
SDD(Solid State Drives)是固态硬盘，包括：控制单元、存储单元(DRAM芯片/FLASH芯片)。
区别：HDD是机械式寻找数据，所以防震远低于SSD，数据寻找时间也远低于SSD。SSD(左图)和HDD(右图)的模样区别如下：
(图片来自百度)
Flash又分NAND Flash和NOR Flash：NOR型存储内容以编码为主，其功能多与运算相关;NAND型主要功能是存储资料，如数码相机中所用的记忆卡。
现在大部分的SSD都是用来存储不易丢失的资料，所以SSD存储单元会选择NAND Flash芯片。这里我们讲的就是SSD中的NAND Flash芯片。
2、NAND Flash的规则
(1)Flash都不支持覆盖，即写入操作只能在空或已擦除的单元内进行。
更改数据时，将整页拷贝到缓存(Cache)中修改对应页，再把更改后的数据挪到新的页中保存，将原来位置的页标记为无效页;
指定在已有无效数据的位置写入时，需要先擦除无效页才能在该位置写入新数据。
(2)以page为单位写入，以Block为单位擦除;擦除Block前需要先对里面的有效页进行搬迁。
(3)每个Block都有擦除次数限制(有寿命)，擦除次数过多会成为坏块(bad block)。
3、SSD固件内容
(1)映射表 Mapping Table
逻辑地址：用户程序中使用的相对地址;
物理地址：实际存储单元的绝对地址;
所以，映射表里面存储的内容是逻辑地址到物理地址的映射信息，利用逻辑地址查询映射表，找到对应的物理地址，再对实际存储单元做读写访问。
SSD内部就维护了一张映射表;一般SSD内部会板载DRAM，用于存储程序运行的临时数据，断电会丢失;映射表存放在SDRAM中(方便快速访问)，同时NAND Flash中会存储几份映射表(防止断电后映射关系丢失)，而且会定期对NAND Flash中的映射便进行更新。
(2)垃圾回收 Garbage Collection
垃圾回收就是把几个Block中的有效数据集中搬移到新的Block上去， 然后再把这几个Block擦除掉。
垃圾回收机制有很多，都是根据不同的侧重点提出的，所以没有最优的算法，就像伴侣一样只有适不适合之说。如：Greedy算法，每次选择包含最少有效页的Block来回收，也就是对垃圾的贪心，每次尽可能回收最多的垃圾。还有Cost-Benefit算法(考虑Block的擦除次数)、Cat回收算法、CICL算法等。
另外有两种回收策略：
被动回收策略：当有写入请求的时候，首先判断当前可用空间大小与临界值大小的比较;如果空间足够，直接写入空闲空间;如果空间不够了，首先启用垃圾回收，再往空闲区域完成写入请求。
不足之处：当空间不够的时候写请求会被延迟。
主动回收策略：通过固件设定周期性任务，定时检查可用空间大小，如果需要就执行垃圾回收。
巧妙之处：利用空闲时间提前进行垃圾回收，避免对请求造成不必要的延时。
不足之处：倘若系统一直没有空闲时间，垃圾回收依旧无法有效执行。
(3)磨损平衡 Wear Leveling
每个Block都是有寿命(Program/Erase Count，P/E值)的，他们的擦除次数是有限的。NAND Flash的寿命类似“木桶原理”，取决于所有Block中的最小寿命。如果拼命对某一块进行擦除，NAND Flash的寿命将会被缩减到最小。所以引入了磨损平衡，平衡所有Block的擦除次数。
有很多不同的磨损平衡机制，大体可以分为两大类：动态WL、静态WL。
动态WL：使用Block进行擦写时，优先挑选P/E值低的Block。
动态WL：把P/E值低的Block中的数据挪到P/E值高的Block中存放。
4、补充概念
(1)写入放大 Write Application
写入放大倍数 = 闪存写入数据量 / 主控写入数据量 = 实际写入数据量 / 要求写入数据量
例如，现在有一个写入一页的请求;即主控写入数据量为1;
然而这个一页请求触发了垃圾回收，当前的写请求会被延迟，直到垃圾回收完毕后再执行写入操作;
如果垃圾回收只挪了5页有效数据，那么实际的写入量应该为6页(1页写请求，5页挪动);即闪存写入数据量为5;
所以写放大为5/1 = 5。
理想的写放大为1，但是Sandforce的数据写入时会进行压缩写入，最优情况下，写放大可以为0.5，打破了Intel的“写放大不可能小于1”之说。
(2)预留空间 Over Provisioning
通过垃圾回收的过程，不难知道，垃圾回收的前提是要提供空闲区域来拷贝，如果连空闲区域都没有，垃圾回收将无法执行，这时将不再支持任何数据的写入。为了避免这种情况的发生，提出了预留空间。
预留空间不仅仅只是用来保证垃圾回收的正常完成，还存储着SSD内部的系统数据(包括：出厂坏块信息、SSD固件、Mapping Table等)。
所以如果说明存储大小为256GB，实际上的存储空间可能只有238GB(一般预留空间为7%)。
另外，OP越大，垃圾回收就会越快，相应写放大会变小，所以读写性能就会越好;但用户能使用的空间会被缩小。
(3)Flash寿命 Program/Erase Count
前面也已经提及到了，每个Block都是有擦除次数限制的，所以引入了寿命这个说法。
5、断电保护机制
中控里板载的SDRAM是非易失性存储器，断电之后数据会丢失，这个时候SDRAM中的数据主要包括：用户数据、映射表;
如果没有断电保护机制，再次上电时，先去NAND Flash中找上次更新时的映射表，这时拿到的信息并不是最新的，是上次更新NAND Flash中映射表时的数据信息，所以发生了大部分数据丢失。
因此SSD板上会加上钽电容或者超级电容，当检测到非法断电时，首先停止数据操作，钽电容或超级电容开始放电，以保证SDRAM中的数据能够写入到NAND Flash中。
至于是用钽电容还是超级电容，得看具体要保护的数据量;不是电容的容量越大越好，因为只要电容开始放电，就要等待它的电放完之后才可以进行其他操作。假如电容容量过大，用户只是点了个电脑重启，这时候SSD的电容会开始放电，放电还没完成的时候，电脑已经重新上电，这时无法认盘。所以电容电量应该选最时候的。
基于SDRAM中的内容，断电保护机制主要分为3种：
(1)保存SDRAM中所有数据
再次上电后，相当于断电前的操作被中断，重新上电后就可立马进入待命状态。
(2)只保存SDRAM中的用户数据
再次上电后，需要先把上次NAND Flash中保存的映射表提取到SDRAM中，再将保存的用户数据提取出来，两者结合更新映射信息，更新完之后才进入待命状态。
(3)只保存SDRAM中的映射表
再次上电后，需要先把上次NAND Flash中保存的映射表提取到SDRAM中，只是丢掉了用户断电前正在操作的数据，无法更新。
6、SSD的评价标准
(1)稳定性：SSD是否稳定，最大的影响因素是垃圾回收机制的选择，恰当的垃圾回收可以提供稳定的读写速率;例如主动垃圾回收机制，在空闲的时候做垃圾回收，读写速度不会因为延时而波动不定。
(2)性能：预留空间的大小主要决定了SSD的性能，OP大，垃圾回收快，相应写放大小，读写性能就越好。
(3)寿命：所有Block的P/E值越趋近于均衡，SSD的寿命就越趋近于最佳。
