DDR4（第四代双倍数据率同步动态随机存储器SDRAM）
关于内存方面知识，大部分人、包括我自己也不是很懂，希望此篇文章能起到点作用，做硬件的就得把相关专业知识学牢了，尤其是专业术语。
下面是DDR4知识做一次分享，之所以选择介绍DDR4，是因为现在DDR5的应用还较少，而DDR4的使用普遍，当然后面还会考虑介绍DDR3，下文中就有一部分是DDR4跟DDR3的对比，我们先把DDR4的硬件相关知识给吃透了。有错误或者更深了解的可以留言指正。
首先我们来了解下DDR4的新特性：
一：性能大幅提升：
从DDR3的1600Mbps提升到DDR4的3200Mbps。理论速率可达到2倍。
二：低能耗，高能效：
- 采用先进工艺技术，可以在提高性能、降低成本同时减少能耗。
- 1.2V POD：采用低电压供电和伪开漏接口，可以降低功耗。
SDRAM |
3.3V |
DDR |
2.5V |
DDR2 |
1.8V |
DDR3 |
1.5V |
DDR4 |
1.2V |
DDR5 |
1.1V |
DDR3接口标准,短截线串联端接逻辑(Stub Series Termination Logic,SSTL)和DDR4接口标准,“伪开漏”(PseudoOpen Drain,POD)进行了详细研究和异同比较。
POD 作为 DDR4 新的驱动标准，最大的区别在于接收端的终端电压等于VDDQ；而 DDR3 所采用的 SSTL 接收端的终端电压为 VDDQ/2。
伪开漏（POD）I/O缓冲
DDR4的I/O缓冲已经从DDR3的推挽（push-pull）改成了伪开漏（pseudo open drain）模式；POD输出高时，接收端跟发送端两端电压是一样的，故而没有电流流动，只有当输出低的时候才会损耗能量，故可以做到减低开关电流，如若再使能DBI功能，可以更进一步节省开关电流，从而减低串扰，最终获得更好的眼图。
三：可靠性显著提高
增加写操作循环冗余检验（Write CRC）可帮助识别多位故障。
增加命令（CMD）、地址（ADD）通路的奇偶校验（Parity）发生故障。
